一. 上游設(shè)備

制作流程：原材料—單晶棒—單晶片—圖形化襯底PSS—外延片
首要設(shè)備：MOCVD,
ICP刻蝕機(jī), 光刻機(jī), PECVD

上游外延成長(zhǎng)，因?yàn)橥庋幽記Q議了結(jié)尾LED光源的功能與質(zhì)量，是LED出產(chǎn)流程的中心，用于外延片成長(zhǎng)的MOCVD也因其技能難度高、技能雜亂變成這些年*受注目，全球商場(chǎng)獨(dú)占*嚴(yán)峻的設(shè)備。因而，該設(shè)備的國產(chǎn)化遭到了國內(nèi)工業(yè)界的熱捧，一些公司和研討機(jī)構(gòu)也啟動(dòng)了MOCVD的研制，但何時(shí)能完成工業(yè)運(yùn)用仍是個(gè)未知數(shù)。

此外，隨同LED外延技能的不斷創(chuàng)新，特別是藍(lán)寶石襯底(PPS)加工技能的廣泛運(yùn)用，藍(lán)寶石襯底刻蝕設(shè)備也逐步變成LED外延片制作技能中心要害技能設(shè)備之一，其技能水平直接影響到成膜功能，越來越遭到工業(yè)界的重視。作為國內(nèi)半導(dǎo)體配備業(yè)的新星，北方微電子憑借多年從事半導(dǎo)體、太陽能**設(shè)備制作的技能優(yōu)勢(shì)，為LED出產(chǎn)范疇的刻蝕運(yùn)用專門開發(fā)了ELEDETM330ICP刻蝕設(shè)備，并已成功完成了PSS襯底刻蝕在大出產(chǎn)線上的運(yùn)用，這能夠稱得上是LED出產(chǎn)設(shè)備國產(chǎn)化范疇的打破，必然對(duì)LED設(shè)備國產(chǎn)化起到推進(jìn)和帶頭作用。

二. 中游芯片制作設(shè)備

中游芯片制作用于依據(jù)LED的功能需要進(jìn)行器材布局和技能描繪。
制作流程：金屬蒸鍍—光刻—電極制作(熱處理、刻蝕)芯片切開—測(cè)驗(yàn)分選

首要設(shè)備：ICP刻蝕機(jī),光刻機(jī),蒸騰臺(tái),濺射臺(tái)，激光劃片機(jī)

1．刻蝕技能及設(shè)備

刻蝕技能在中游芯片制作范疇有著廣泛的運(yùn)用（見表2），而跟著圖形化襯底技能被越來越多的LED公司認(rèn)可，對(duì)圖形化襯底的刻蝕需要也使ICP刻蝕機(jī)在整個(gè)LED工業(yè)鏈中的比重大幅度晉升。更大產(chǎn)能、更高功能的ICP刻蝕機(jī)變成LED干流公司的需要方針，在產(chǎn)能方面需求刻蝕機(jī)的單批處理才能到達(dá)每盤20片以上，機(jī)臺(tái)具有更高的利用率和全自動(dòng)Cassette to
Cassette的出產(chǎn)流程；因?yàn)閱闻幚頂?shù)量增大，片間和批次間的均勻性操控愈加嚴(yán)厲；此外，更長(zhǎng)的保護(hù)周期和快捷的人機(jī)交互操作界面也是面向大出產(chǎn)線設(shè)備必備的條件。而北方微電子所開發(fā)的ELEDETM330刻蝕機(jī)，集成了多項(xiàng)先進(jìn)技能，用半導(dǎo)體刻蝕技能更為精準(zhǔn)的描繪需求來完成LED范疇更高功能的刻蝕技能，徹底滿意大出產(chǎn)線對(duì)干法刻蝕技能的上述需求。

2.光刻技能及設(shè)備
　　光刻技能是指在晶片上涂布光阻溶液，經(jīng)曝光后在晶片上構(gòu)成必定圖畫的技能。LED芯片出產(chǎn)中經(jīng)過光刻來完成在PSS技能中構(gòu)成刻蝕所需特定圖畫掩模以及在芯片制作中制備電極。LED光刻技能首要選用投影式光刻、觸摸式光刻和納米壓印三種技能。觸摸式光刻因?yàn)閮r(jià)錢低，是當(dāng)前運(yùn)用干流，但跟著PSS襯底遍及，圖形尺度精細(xì)化，投影式光刻逐步變成干流。納米壓印因?yàn)椴恍韫庾?，技能?jiǎn)略，歸納本錢較低，但因?yàn)橹貜?fù)性較差，還處于研制期間。

國內(nèi)LED出產(chǎn)用觸摸式光刻機(jī)首要依靠進(jìn)口，投影式光刻機(jī)多為二手半導(dǎo)體光刻機(jī)創(chuàng)新。而鑒于國內(nèi)光刻設(shè)備出產(chǎn)公司的技能根底和在創(chuàng)新事務(wù)中獲得的經(jīng)歷堆集，信任假以時(shí)日開發(fā)出國產(chǎn)的LED光刻設(shè)備的遠(yuǎn)景一片光亮。納米壓印是經(jīng)過模版熱壓的技能制備納米級(jí)圖形，在美國、臺(tái)灣等均有較深化的研討，工業(yè)化運(yùn)用還不老練，但仍存在較大的運(yùn)用潛力。

3．蒸鍍技能及設(shè)備

　　蒸鍍技能是指在晶片外表鍍上一層或多層ITO通明電極和Cr、Ni、Pt、Au等金屬，通常將晶片置于高溫真空下，將熔化的金屬蒸著在晶片上。LED芯片出產(chǎn)中選用蒸鍍技能在晶片上焊接電極并經(jīng)過蒸鍍金屬加大晶片的電流導(dǎo)電面積。

蒸鍍臺(tái)按能量來歷首要分為熱蒸鍍臺(tái)和電子束蒸鍍臺(tái)，鑒于作為電極的金屬熔點(diǎn)高，金屬附著力需求較高，LED職業(yè)遍及運(yùn)用電子束蒸鍍機(jī)（Ebeam
Evaporator）。當(dāng)前國內(nèi)LED出產(chǎn)用蒸鍍臺(tái)當(dāng)前仍以進(jìn)口為主。國內(nèi)盡管已把握蒸鍍臺(tái)原理，并能自行制作實(shí)驗(yàn)室用蒸鍍臺(tái)，但因?yàn)樽詣?dòng)化程度、技能重復(fù)性、均勻性等疑問，沒有進(jìn)入大出產(chǎn)線運(yùn)用。鑒于LED電極堆積用蒸鍍臺(tái)比較半導(dǎo)體PVD設(shè)備難度較低這一狀況，國內(nèi)具有半導(dǎo)體PVD設(shè)備開發(fā)經(jīng)歷的設(shè)備商，將有才能完成LED蒸鍍臺(tái)國產(chǎn)化。